該氮化鎵基激光器采用在藍(lán)寶石襯底上外延的多量子阱增益波導(dǎo)結(jié)構(gòu), 激射波長(zhǎng)為410nm,條寬5μm,條長(zhǎng)800μm,激射閾值50kA/cm2。

　　通過近三年上千爐的MOCVD材料生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)和上百次的器件工藝實(shí)驗(yàn)，課題組艱苦攻關(guān),積極創(chuàng)新，攻克了氮化鎵基激光器研究中材料生長(zhǎng)、器件工藝、器件測(cè)試等一系列技術(shù)難題,將氮化鎵材料本底電子濃度降到小于5X1016/cm3,室溫電子遷移率達(dá)到850cm2/VS，進(jìn)入世界先進(jìn)行列。實(shí)現(xiàn)了AlGaN/GaN超晶格界面平整度和應(yīng)力的控制，獲得了粗糙度小于1nm的激光器腔面。突破了氮化鎵基激光器的測(cè)試技術(shù)難題,研究開發(fā)了與該激光器配套的驅(qū)動(dòng)技術(shù),滿足了氮化鎵基激光器的測(cè)試要求。 　　 

　　氮化鎵基激光器是目前氮化鎵基光電子材料與器件領(lǐng)域國(guó)際上競(jìng)爭(zhēng)最激烈,技術(shù)難度最大,最具挑戰(zhàn)性和標(biāo)志性的研究方向，這種短波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的研發(fā)已經(jīng)成為世界各國(guó)科學(xué)家研發(fā)的焦點(diǎn)和重點(diǎn)。