由于非輻射缺陷的作用，使得 GaN 基發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率在室溫時(shí)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于 100% 。此外，導(dǎo)致 GaN 基發(fā)光二極管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延層和空氣的反射系數(shù)差異較大導(dǎo)致的全反射問(wèn)題。根據(jù)報(bào)道， GaN 和空氣的反射系數(shù)分別是 2.5 和 1 。因此在 InGaN-GaN 活性區(qū)產(chǎn)生的光能夠傳播出去的臨界角約為 23° 。這大大限制了 GaN 基發(fā)光二極管的外量子效率 [1] 。很多人在提高 GaN 基發(fā)光二極管的出光效率方面都做了很多工作，方法也比較多。下面主要介紹一下利用表面粗化的辦法來(lái)提高器件的出光效率。

　　Huang 等人 [2] 利用激光輻照的方法在傳統(tǒng)的 IaGaN/GaN 發(fā)光二極管上部 p-GaN 表面形成納米級(jí)粗糙層。這里所說(shuō)的傳統(tǒng)的 GaN 發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)為： 560 ℃ 生長(zhǎng) 30nm 厚的 GaN 低溫緩沖層，一個(gè) 2μm 厚的未摻雜 GaN 層，一個(gè)在 1050 ℃ 生長(zhǎng)的 1.5μm 厚的 n-GaN 層，一個(gè)包含 5 個(gè)循環(huán)的的 In 0.21 Ga 0.79 N 2nm /GaN 5nm 多量子井層，一個(gè) 0.3μm 厚的 p-GaN 層。并且采用表面粗化處理的器件和傳統(tǒng)器件采用相同的生長(zhǎng)方法和步驟制備。經(jīng)過(guò)表面粗化后， p-GaN 表面均方根粗糙度由 2.7nm 增加到了 13.2nm 。結(jié)果顯示，采用表面粗化處理的器件的在加上 20mA 電流時(shí)，亮度提高了 25% 。但是工作電壓從 3.55 降低到了 3.3V 。采用表面粗化處理的器件的系統(tǒng)電阻降低了 29% ，這是因?yàn)楸砻娲只笤黾恿私佑|面積和經(jīng)過(guò)激光輻照后，具有了更高的空穴濃度。

　　很多人 [3-7] 利用表面粗化來(lái)提高出光效率做了研究，主要利用的方法包括表面粗化、晶片鍵合和激光襯底剝離技術(shù)等。但是這些研究都只把注意力放在了 GaN 基發(fā)光二極管頂部一個(gè)表面的粗化上。 W. C. Peng 等人 [8] 對(duì)利用雙層表面粗化來(lái)提高出光效率做了研究。 Wei chih peng 等人制備了三種 LED 器件。如圖 1 所示。其中 CV-LED 表示未作任何表面粗化處理的 LED 。 PR-LED 表示 p-GaN 進(jìn)行粗化處理的 LED 。 DR-LED 表示 p-GaN 層和 undoped-GaN 層進(jìn)行粗化處理的 LED 。

圖 1 ：器件結(jié)構(gòu)示意圖