想更詳細(xì)了解芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的對比，可直接百度。下面我詳細(xì)分析一下采用覆晶結(jié)構(gòu)封裝的產(chǎn)品有什么特點(diǎn)。

　　△這三個(gè)特點(diǎn)相信很多人都知道，但我們需要清楚它是如何實(shí)現(xiàn)的。

　　首先我們來看高密度，要實(shí)現(xiàn)高密度光輸出，產(chǎn)品要滿足三個(gè)條件。這三個(gè)條件實(shí)際上是相互關(guān)聯(lián)的，因?yàn)榇箅娏饕馕吨邿崃俊?/p>

　　為什么覆晶結(jié)構(gòu)封裝能承載大的電流呢?我們來對比分析下電路。

　　這里我解釋下正裝芯片金屬薄膜層，由于P型GaN傳導(dǎo)性能不是太好，為獲得良好的電流擴(kuò)展，通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層金屬電極層，再將P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出，正是因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)，形成了正裝芯片在承載電流上的一個(gè)短板。

　　大家都知道，電阻與導(dǎo)體橫載面積成反比例關(guān)系，橫載面積越大電阻越低，還與導(dǎo)體長度成正比例關(guān)系，導(dǎo)線越長電阻越大。

　　從電路橫載面積上看，覆晶結(jié)構(gòu)電極尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過金線橫載面積，一般情況下相差60倍。當(dāng)然土豪可以換成很粗的金線。

　　從長度上看，由于金線鍵合工藝要求，金線必須是弧型，也無疑也增加了導(dǎo)線長度。晶片的結(jié)構(gòu)及線路的大小已經(jīng)初步確定了承載電流的大小。

　　光源產(chǎn)品電路具體的電阻值與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相關(guān)，所以無法提供具體參數(shù)，可以確定的是，這種相差是按乘法計(jì)算的，電路越多差別越大。

　　大家也知道，電阻是要消耗功率的，消耗功率就會(huì)產(chǎn)生熱量，所以我們在設(shè)計(jì)線路時(shí)，盡可能降低其電阻，也不要有太多的尖角。

　　接著講導(dǎo)熱的問題，還是和上面的一樣，我們先來對比分析下熱傳導(dǎo)的途徑。