圖形藍寶石襯底GaN基發(fā)光二極管的研制
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上傳人：張俊兵、林岳明、范玉佩、王書昶、曾祥華 上傳時間： 2013-04-11 瀏覽次數(shù)： 49 |
| 作者 | 張俊兵、林岳明、范玉佩、王書昶、曾祥華 |
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| 單位 | 揚州大學物理科學與技術學院;揚州華夏集成光電有限公司 |
| 分類號 | TN312.8 |
| 發(fā)表刊物 | 《光電子.激光》 |
| 發(fā)布時間 | 2010年 |
摘要：采用抗刻蝕性光刻膠作為掩膜,并利用光刻技術制作周期性結構,進行ICP干法刻蝕C面(0001)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm,呈六角形分布。與同批生長的普通藍寶石襯底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光強和光通量比CSS分別提高57.32%和28.33%(20 mA),并可減小芯片的反向漏電流,且未影響芯片的波長分布和電壓特性。
1引言作為第4代固體照明光源的發(fā)光二極管(LED),具有節(jié)能、環(huán)保、長壽命、多色彩和小體積等諸多優(yōu)點[1~3],但目前,GaN基LED內(nèi)量子效率和光的提取效率較低,一定程度上限制了其應用。日常生產(chǎn)中,GaN基LED外延是在普通藍寶石襯底(CSS,conventional sapphire substrate)上制備的[4
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