芯片核心技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

　　從國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體照明功率型LED芯片技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀來(lái)看，薄膜結(jié)構(gòu)芯片憑借其一系列優(yōu)越性將會(huì)是未來(lái)照明級(jí)LED芯片技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)，照明級(jí)LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展將經(jīng)歷一個(gè)“正裝結(jié)構(gòu)→倒裝結(jié)構(gòu)→薄膜結(jié)構(gòu)”的技術(shù)演變。表2列舉了薄膜結(jié)構(gòu)芯片與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)芯片的特點(diǎn)比較，從表中可以看出薄膜結(jié)構(gòu)芯片在發(fā)光效率、散熱性和可集成性等方面有著傳統(tǒng)芯片所不能比擬的優(yōu)越性，這也是國(guó)際大廠爭(zhēng)相布局和研發(fā)的初衷。如圖3所示為L(zhǎng)umileds、Cree和Osram三家國(guó)際大廠所推出的全新薄膜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品，其中Cree的EZBright系列的封裝白光器件可以達(dá)到186lm/W的發(fā)光效率，為目前世界范圍內(nèi)有報(bào)道的最佳水平。

　　當(dāng)然，半導(dǎo)體照明LED芯片技術(shù)是一個(gè)涉及理論設(shè)計(jì)、外延和芯片工藝的系統(tǒng)化技術(shù)，除了薄膜芯片技術(shù)之外，當(dāng)前世界范圍內(nèi)針對(duì)照明級(jí)LED芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)，主要可以歸結(jié)為以下一些技術(shù)路線：

　　1） 非極性襯底、半極性襯底的外延材料生長(zhǎng)；

　　2） 量子點(diǎn)、量子線有源層設(shè)計(jì)和外延生長(zhǎng)；

　　3） 光子晶體、準(zhǔn)光子晶體應(yīng)用于芯片取光技術(shù)；

　　4） 交流電發(fā)光二極管（AC-LED）。