提高GaN基發(fā)光二極管外量子效益的途徑
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上傳人：李為軍 上傳時(shí)間： 2009-09-14 瀏覽次數(shù)： 149 |
發(fā)光二極管(LED)低的外量子效率嚴(yán)重制約了LED 的發(fā)展，本文主要介紹了提高GaN 基LED 外量子效率途徑的最新進(jìn)展，包括芯片非極性面/半極性面生長(zhǎng)技術(shù)，分布布拉格反射層(DBR)結(jié)構(gòu)， 改變LED 基底幾何外形來(lái)改變光在LED 內(nèi)部反射的路徑和表面粗化處理以及新近的光子晶體技術(shù)和全息技術(shù)等。并對(duì)納米壓印與SU8 相結(jié)合技術(shù)在提高LED外量子光效益方面進(jìn)行了初步探索。
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