圖3表示同種材料同種類型，功能完好且連接狀態(tài)良好的紅色LED i個不同樣品的檢測結(jié)果隨激勵光強度變化的情況。三個樣品是從引線支架連接在一起的20個LED巾隨機抽取的。為了便于觀察，檢測的電壓信號幅值已換算成光激勵pn結(jié)時產(chǎn)生的光生電流I_L。

　　由圖3可知。三個樣品在相同的光照下產(chǎn)生的光生電流是很接近的，并且光生電流I_L與光照強度P₀成正比，幾個樣品之間的固定誤差可能是因為光照位置的微小偏差造成的。當(dāng)激勵光功率為2 mW時，產(chǎn)生的光生電流大約為96μA，這比理論計算值小5μA，這是因為理論計算時未考慮LED串聯(lián)電阻的影響，兇此可以認(rèn)為實驗與2.1節(jié)中理論分析結(jié)果第2)條和第3)是符合的。

　　在圖l所示的等效電路中，R_s2也與負(fù)載R_L是串聯(lián)的，由于電極的電阻以及電極和結(jié)之間的接觸電阻R_s2很難直接測量，因此實驗中通過串聯(lián)不同的負(fù)載電阻R_L，來模擬接觸電阻R_s對檢測結(jié)果造成的影響。在激勵光功率為2 mw時(此時產(chǎn)生的光生電流I_L約為96μA)，得到圖3中樣品1l流過負(fù)載的電流I與負(fù)載電阻R_L的變化關(guān)系。如圖4所示。

　　由圖4可知，隨著外加負(fù)載R_L的增大，流過負(fù)載的電流越來越小，尤其從圖4(b)可以看出，當(dāng)外加負(fù)載為0時，負(fù)載電流為96μA，而當(dāng)負(fù)載電阻變化到0.4Ω，負(fù)載電流下降到7lμA，下降率達(dá)26％，由于串聯(lián)電阻R_s的值無法準(zhǔn)確估計，因此實驗結(jié)果與2.2結(jié)中理論計算的值有差異。實驗與理論都表明，接觸電阻R_s的微小變化會使支架上流過的電流I產(chǎn)生很大的改變。對于功能完好的LED芯片，通過測肇支架上流過的光生電流I可以計算得到I,ED的串聯(lián)電阻R_s,若串聯(lián)電阻值無窮大，則芯片與電極之間可能出現(xiàn)了脫膠、漏焊或者焊絲斷裂問題，若串聯(lián)電阻與正常連接狀態(tài)下的串聯(lián)電阻有大的差異，則芯片與電極之間可能出現(xiàn)其它的焊接問題，如虛焊，重復(fù)焊接等。因此，通過分析支架上流過的光生電流值，可以檢測LED封裝過程中芯片與引線支架之間的電氣連接狀態(tài)。