可用于液晶背照燈、普通照明及車載照明等使用的12～60V驅(qū)動(dòng)的LED。用于芯片工作驗(yàn)證的“共乘服務(wù)”（Shuttle Service）采用0.25μm～0.18μm工藝，量產(chǎn)時(shí)則可采用0.6μm～0.18μm工藝。

　　利用臺(tái)積電此次提供的工藝，除了LED驅(qū)動(dòng)用DMOS之外，還可在CMOS邏輯電路上混載雙極晶體管、電容器及二極管等被動(dòng)部件。與原來的LED驅(qū)動(dòng)模塊相比，可減少部件數(shù)量，縮小安裝面積。

　　DMOS部由于導(dǎo)通電阻較低，電流驅(qū)動(dòng)力較高，因此易于提高LED驅(qū)動(dòng)時(shí)的電力效率。CMOS邏輯部除了可配備5V電壓驅(qū)動(dòng)的模擬PWM（脈沖寬度調(diào)節(jié)）控制器之外，還能集成2.5V及1.8V驅(qū)動(dòng)的邏輯內(nèi)核電路。此外，還可混載OTP（one-time programmable）內(nèi)存及MTP（multi-time programmable）內(nèi)存。