在科學院的組件中，量子阱的發(fā)光波長約為440 nm，量子點則發(fā)出545 nm或波長更長的光。額外的銦沉淀可以增加量子點的大小與密度，除了讓原始量子點的發(fā)光峰值波長變長外，在495 nm處也會產(chǎn)生另一個峰。

　　該研究團隊在GaN/InGaN量子阱的底部加入一層InGaN，原本是用來收集載子，以提高發(fā)光強度。在研究過程中，他們嘗試在LED晶圓底部沉積晶格部分松弛的InGaN厚膜，結(jié)果發(fā)現(xiàn)改變InGaN層的厚度，會影響GaN晶體中的應變(strain)分布，進而改變量子點的濃度。當?shù)讓雍穸葹?60 、190及220 nm時，晶粒發(fā)光的顏色分別為綠光、黃綠光及白光。

　　由電激發(fā)光光譜(Electroluminescent spectra)可以發(fā)現(xiàn)，第一顆LED的發(fā)光波長有兩個，其它兩顆則為三個。三顆LED底層的含銦比例都是4.4%，其中底層最薄的LED保留有最多的雙軸應變(biaxial-strain)，陳弘等人推算其InGaN層的晶格松弛比率約為9.6%，相形之下，底層最厚者的松弛比高達64.4%。

　　研究人員利用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察發(fā)現(xiàn)，InGaN底層最薄時，由于結(jié)構較完整，因此應變會降低含銦量子點的沉淀。這個方法的缺點在于當?shù)讓雍穸仍黾訒r，激發(fā)光強度會降低。陳弘等人認為這是因為高度晶格松弛引起的錯位(dislocations)變成非輻射復合(non-radiative recombination)的中心。

　　陳弘承認這項技術若要商業(yè)化量產(chǎn)白光LED，必需先克服一致性(uniformity)與再現(xiàn)性(reproducibility)的問題。他指出，波長的再現(xiàn)性取決于nGaN底層的成份及厚度，因此對長晶溫度十分敏感。