制造垂直結(jié)構(gòu)LED芯片有兩種基本方法：剝離生長(zhǎng)襯底和不剝離生長(zhǎng)襯底 。其中生長(zhǎng)在砷化鎵生長(zhǎng)襯底上的垂直結(jié)構(gòu)GaP基LED芯片有兩種結(jié)構(gòu)：

　　不剝離導(dǎo)電砷化鎵生長(zhǎng)襯底：在導(dǎo)電砷化鎵生長(zhǎng)襯底上層迭導(dǎo)電DBR反射層，生長(zhǎng) GaP 基LED外延層在導(dǎo)電DBR反射層上。

　　剝離砷化鎵生長(zhǎng)襯底：層迭反射層在GaP基LED外延層上，鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離砷化鎵襯底。導(dǎo)電支持襯底包括，砷化鎵襯底，磷化鎵襯底，硅襯底，金屬及合金等。

　　另外，生長(zhǎng)在硅片上的垂直GaN基LED也有兩種結(jié)構(gòu)：

　　不剝離硅生長(zhǎng)襯底：在導(dǎo)電硅生長(zhǎng)襯底上層迭金屬反射層或?qū)щ奃BR反射層，生長(zhǎng)氮化鎵基LED外延層在金屬反射層或?qū)щ奃BR反射層上。

　　剝離硅生長(zhǎng)襯底：層迭金屬反射層在氮化鎵基LED外延層上，在金屬反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離硅生長(zhǎng)襯底。

　　再簡(jiǎn)單說(shuō)明制造垂直氮化鎵基 LED 工藝流程：層迭反射層在氮化鎵基 LED 外延層上，在反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底。導(dǎo)電支持襯底包括，金屬及合金襯底，硅襯底等。

　　無(wú)論是GaP基LED、GaN基LED，還是ZnO基LED這一類通孔垂直結(jié)構(gòu)LED，相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)LED有著較大的優(yōu)勢(shì)，具體表現(xiàn)在：

　　1、目前，現(xiàn)有的所有顏色的垂直結(jié)構(gòu)LED：紅光LED、綠光LED、藍(lán)光LED及紫外光LED，都可以制成通孔垂直結(jié)構(gòu)LED有極大的應(yīng)用市場(chǎng)。

　　2、所有的制造工藝都是在芯片（ wafer ）水平進(jìn)行的。

　　3、由于無(wú)需打金線與外界電源相聯(lián)結(jié)，采用通孔垂直結(jié)構(gòu)的 LED 芯片的封裝的厚度降低。因此，可以用于制造超薄型的器件，如背光源等。