圖1：采用氧化物半導(dǎo)體IGZO材料的TFT12.1英寸OLED面板

　　韓國三星SDI開發(fā)出了采用氧化物半導(dǎo)體IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT12.1英寸OLED面板，并在“SID 2008”上公布了技術(shù)細(xì)節(jié)（演講序號(hào)：3.1）。該面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半導(dǎo)體的有源矩陣型TFT陣列和OLED元件。

　　此次開發(fā)的OLED面板的像素為1280×768像素（WXGA），分辨率為123ppi（圖1）。亮度為300cd/m2，對(duì)比度為2萬：1。采用底部發(fā)光結(jié)構(gòu)，光從TFT底板側(cè)取得。OLED材料采用的是低分子材料。但紅色用磷光材料，綠色和藍(lán)色采用熒光材料。

圖2：所開發(fā)產(chǎn)品的面板結(jié)構(gòu)

　　TFT的掩膜數(shù)量為7片（圖2）。像素間距為69μm×207μm，像素電路由2個(gè)TFT和1個(gè)電容器構(gòu)成。采用底柵結(jié)構(gòu)，柵極、源極及漏極的電極材料采用Mo，柵極絕緣膜采用SiOx/SiNx，并使用了現(xiàn)有的光刻制造技術(shù)。IGZO TFT的遷移率為17.2cm2s，開關(guān)比為108以上，亞閾值斜率（S值）為0.28V/decade。

圖3：與非晶硅及低溫多結(jié)晶硅的比較

　　三星SDI指出，采用IGZO的TFT其優(yōu)勢在于可以著手量產(chǎn)大尺寸玻璃底板（圖3）。使用此次的TFT制作方法，甚至可以支持第8代底板。