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上海芯元基開發(fā)半導體新器件獲里程碑式突破

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2016-08-30 作者: 來源:中國半導體照明網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 上海芯元基采用先進的晶元級封裝技術(shù),結(jié)合具有自主知識產(chǎn)權(quán)的復合圖形襯底(DPSS)以及化學剝離和晶元級芯片轉(zhuǎn)移技術(shù),開發(fā)出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結(jié)構(gòu)器件(TFFCOG)。

  上海芯元基采用先進的晶元級封裝技術(shù),結(jié)合具有自主知識產(chǎn)權(quán)的復合圖形襯底(DPSS)以及化學剝離和晶元級芯片轉(zhuǎn)移技術(shù),開發(fā)出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結(jié)構(gòu)器件(TFFCOG)。該器件的結(jié)構(gòu)如附圖所示自上而下為:薄膜倒裝芯片、玻璃襯底,器件的四周除出光面之外都具有反射腔結(jié)構(gòu),形成帶反射腔的封裝器件。

  器件具有以下優(yōu)勢:1、采用反射鏡的腔體結(jié)構(gòu),使整個器件的光由單一方向出射,極大的提高了光的出射密度;2、采用容易加工出光結(jié)構(gòu)的透明玻璃基板作為出光通道,采用金屬電極做為散熱通道,提高了器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性;3、采用晶元級封裝技術(shù),器件的最終尺寸與芯片的尺寸相當;4、不需要進行常規(guī)封裝,可降低成本三分之一以上。

  上海芯元基的化學剝離襯底技術(shù)和晶元級芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)是制造Micro LED Display的核心技術(shù),不僅可用運于半導體照明產(chǎn)業(yè),同樣可用運于半導體功率電子器件,對發(fā)展我國第三代半導體材料技術(shù)意義重大,目前已經(jīng)完成了相關(guān)專利的全球布局及商標注冊,預計2017年初可實現(xiàn)量產(chǎn)。

  附圖:

  

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