LayTec于IWN推出最新的Pyro 400
摘要： 自1999年以來，德國LaTec已售出第1000套原位測量設(shè)備。在美國Tampa舉辦的國際氮化物研討會(IWN 2010)上，LayTec的Kolja Haberland博士在題為“針對薄膜工藝的原位光學(xué)測量系統(tǒng)”報告中指出，其最新的原位工具Pyro 400結(jié)合EpiCurve TT傳感器成功應(yīng)用于AIXTRON行星式反應(yīng)器當(dāng)中。圖1展示了LED生長過程中爐壓隨溫度的變化。
圖1. 因爐壓(p)變化導(dǎo)致LED生長過程中溫度的變化。
在標準的GaN生長條件和標準壓力下(2)，pocket temperature溫度及中心的晶片溫度控制得很好，當(dāng)改變工藝條件時，如降低爐壓及提高工藝溫度，則晶片溫度會下降20K低于pocket溫度，而這些變化用傳統(tǒng)的計量法是無法測出的。原因在于，載氣從pocket運行至晶片其傳熱效果變差。因此，對于器件生長過程的溫度控制而言，理解和控制這種效果是至關(guān)重要的;事實上，也僅有Pyro 400能測試出來。
圖2. Pyro 400線掃描測量：不同生長步驟(見圖1)整片晶片的溫度分布。
圖2展示了在不同生長環(huán)節(jié)整塊晶片的溫度分布，依照特定的生長條件：
1、生長前：Pyro 400展示了藍寶石裸片上pocket的平面溫度曲線;
2、GaN緩沖層生長：晶片中心因翹曲的原因比邊緣要熱;
3、超晶格生長：爐壓的降低以及熱量從pocket傳至晶片，使得中心溫度下降;
4、多量子阱生長：平整的晶片獲得趨于水平的溫度曲線。
LayTec表示，具有紫外感知功能的Pyro 400可直接測量GaN表面的溫度，讓生長表面的溫度變化暴露在陽光之下，這點傳統(tǒng)的測溫設(shè)備是做不到的。
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