據報道，美國加州大學圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）研究團隊與諾貝爾獎得主中村修二先生共同開發(fā)了一種制造無熒光粉白色半極化LED的新方法，并且可望作為背光源使用。研究結果已發(fā)表在《光學快報》（Optics Express）期刊上。
通常情況下，白色LED由藍色LED與黃色熒光粉結合制成，而由熒光粉轉換而來的白色LED往往會出現能量損耗及熱穩(wěn)定性下降等問題，但無熒光粉的LED難以實現。不過，UCSB團隊提出了一個較為容易的制造方法，可直接在氮化鎵襯底上生長出高效的白色半極化LED。
據悉，研究團隊在塊狀氮化鎵襯底上采用藍色量子阱（頂部）和黃色量子阱（底部）生長出無熒光粉的白色InGaN（銦鎵氮）LED，這些LED發(fā)射波長峰值為427mn的藍光及560nm的黃光，輸出功能為0.9mW。
圖片來源: (Li et al., 2020)
研究者認為，無熒光粉的高效LED作為背光源的前景可期，有望實現用于可見光通訊LiFi中的Micro LED。
據了解，業(yè)內關于無熒光粉LED照明的研究一直都在開展中。
2016年，韓國KAIST也提出了一個制造方法：以半導體芯片取代熒光粉。頂部為同心圓模樣的金字塔結構，設計成復合結構體。制造出的3D結構體各個面以不同條件形成量子阱，各發(fā)出不同的顏色。KAIST表示，通過調整制造3D結構體的時間和條件，以改變各結晶面面積的方法，從而制造出多元混色的LED。
