日前，國星光電發(fā)布公告宣布全資子公司佛山市國星半導體技術有限公司（以下簡稱“國星半導體”）收到國家知識產權局頒發(fā)的3項發(fā)明專利證書。
公告顯示，3項發(fā)明專利證書分別為：一種垂直結構LED芯片的制造方法、一種去除DBR膜層的制作方法以及一種高亮度LED芯片及其制作方法，專利期限均為20年。
來源：公司公告
國星光電表示，上述發(fā)明專利的取得不會對公司及國星半導體近期生產經營產生重大影響，但有利于國星半導體進一步完善知識產權保護體系，形成持續(xù)創(chuàng)新機制，提升核心競爭力。
