日本開發(fā)出使用氧化鎵基板的GaN類LED元件
2011-03-29
作者：未知
來源：ledinside
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摘要： 外媒報導，日本田村制作所與光波公司，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預計該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板可在2011年度末上市。該LED元件與以前使用藍寶石基板的LED元件相比，每單位面積可流過10倍以上的電流。
外媒報導，日本田村制作所與光波公司，開發(fā)出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預計該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板可在2011年度末上市。
該LED元件與以前使用藍寶石基板的LED元件相比，每單位面積可流過10倍以上的電流。將用于前照燈及投影儀等需要高亮度的用途。另外，氧化鎵基板通過簡單的溶液生長即可形成，因此是一種可實現(xiàn)低成本化的技術(shù)，還能用于照明等用途。
氧化鎵基板具有高導電性，使用該基板的GaN類LED元件可在表、里兩面設置電極。田村制作所與光波公司此次開發(fā)了可大幅削減設于氧化鎵基板和GaN類外延層之間的緩沖層電阻技術(shù)，并且通過確立在氧化鎵基板上形成低電阻n型歐姆接觸電極的技術(shù)，實現(xiàn)了可流過大電流的LED元件。
雖然有觀點指出氧化鎵基板容易破裂，但據(jù)稱此次通過調(diào)整氧化鎵基板的面方向解決了這一問題。
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