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GaN 基功率型LED芯片散熱性能測試與分析

2009-12-21 作者:admin 來源:廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 與正裝LED相比 ,倒裝焊芯片技術(shù)在功率型LED的散熱方面具有潛在的優(yōu)勢 。對各種正裝和倒裝焊功率型LED芯片的表面溫度分布進(jìn)行了直接測試 ,對其散熱性能進(jìn)行了分析。

  與正裝LED相比 ,倒裝焊芯片技術(shù)在功率型LED的散熱方面具有潛在的優(yōu)勢 。對各種正裝和倒裝焊功率型LED芯片的表面溫度分布進(jìn)行了直接測試 ,對其散熱性能進(jìn)行了分析。

附件:GaN 基功率型LED芯片散熱性能測試與分析

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