GaN基LED外延材料缺陷對其器件可靠性的影響
2009-12-21
作者：admin
來源：廣東半導(dǎo)體照明工程省部產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)盟
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摘要： 采用 X 光雙晶衍射儀分析了 GaN 基發(fā)光二極管外延材料晶體結(jié)構(gòu)質(zhì)量并制成 GaN2-LED 芯片 , 對分組抽取特定區(qū)域芯片封裝成的 GaN2LED 器件進(jìn)行可靠性試驗(yàn) 。對比分析表明 。
采用 X 光雙晶衍射儀分析了 GaN 基發(fā)光二極管外延材料晶體結(jié)構(gòu)質(zhì)量并制成 GaN2-LED 芯片 , 對分組抽取特定區(qū)域芯片封裝成的 GaN2LED 器件進(jìn)行可靠性試驗(yàn) 。對比分析表明 。
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