美國大型SiC底板廠商科銳(Cree)在SiC國際學會“第七屆碳化硅與相關材料歐洲會議(ECSCRM)”上，以“Defect Control in SiC Manufacturing”為題，就該公司的SiC底板特性發(fā)表了演講(演講號碼：Tu3-2)。介紹了制造芯片時的成品率與結晶缺陷和中空貫通缺陷(微管)的關系，同時還公布了直徑100mm(約4吋)底板上存在的各種位錯密度。科銳已開始供應幾乎沒有微管的直徑100mm“無微管”底板。

　　該公司以已投產的直徑100mm的n型4H-SiC底板為例介紹了芯片成品率，對底板表面共有165個結晶缺陷的標準品和只有21個結晶缺陷的低缺陷產品等進行了比較。制作2mm見方芯片時的芯片成品率方面，標準品為94.1%、低缺陷產品為99.2%。芯片尺寸越大，標準品與低缺陷產品的成品率之差就越大，3mm見方芯片中，標準品為87.8%、低缺陷產品為98.2%，5mm見方芯片中，標準品為73.3%、低缺陷產品為95.8%。

　　另外，還以直徑為100mm、n型4H-SiC底板上設有外延層的產品為例，通過外延層表面共有184個結晶缺陷的標準品和只有63個的低缺陷產品，比較了制作芯片時的成品率。2mm見方芯片的成品率方面，標準品為93.2%、低缺陷產品為98.1%。3mm見方芯片的成品率方面，標準品為85.5%、低缺陷產品為96.2%，5mm見方芯片的成品率方面，標準品為68.8%、低缺陷產品為90.8%。

　　微管密度和芯片成品率的關系是以微管密度僅為0.7個/cm2、直徑為100mm的n型4H-SiC底板為例進行評估的。2mm見方、無微管的芯片成品率為96%、5mm見方為86%、10mm見方為65%。

　　此外，還公布了n型4H-SiC底板“1c dislocation”和“Basal Plane dislocation”等的各種位錯密度。直徑100mm的研發(fā)產品中，1c dislocation的錯位密度平均為425個/cm2，直徑約75mm(3吋)的研發(fā)產品為175個/cm2。Basal Plane dislocation方面，直徑100mm的產品為1550個/cm2。(編輯：CBE)