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Zetex發(fā)表首款無鉛MOSFET產(chǎn)品

2008-03-13 作者: 來源:ledinside 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 近日,捷特科半導(dǎo)體(Zetex Semiconductors)推出其首款采用無鉛式2 × 2毫米DFN封裝的MOSFET產(chǎn)品,型號為「ZXMN2F34MA」。

  近日,捷特科半導(dǎo)體(Zetex Semiconductors)推出其首款采用無鉛式2 × 2毫米DFN封裝的MOSFET產(chǎn)品,型號為「ZXMN2F34MA」。

  ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)SOT23封裝的元件小50%,離板高度只有0.85毫米,適用于各類型空間有限的開關(guān)和功率管理應(yīng)用,例如降壓/升壓負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器中的外部開關(guān)裝置。因?yàn)閷τ谶@些應(yīng)用來說,PCB的占位面積、熱效能和低臨限電壓都相當(dāng)重要。

  ZXMN2F34MA是Zetex一行六款新型低電壓 (20V及30V) N通道單獨(dú)及雙重式元件的其中一款,系列中設(shè)有多種不同的表面黏著封裝可供選擇。

  額定電壓為20V的ZXMN2F34MA雖然尺寸小巧,但其熱性能卻遠(yuǎn)勝體積更大的SOT23封裝。該元件采用的DFN322無鉛式封裝,熱阻比同類零件低出40%,有助提升散熱效益、改善功率密度。在4.5V及2.5V的典型閘源電壓下,該元件的通態(tài)電阻分別為60MΩ和120MΩ。

  此外,新組件的逆向修復(fù)電荷較低,有助減低開關(guān)損耗及緩解電磁干擾(EMI)問題,最適用于筆記簿型電腦、行動電話及通用可攜式電子設(shè)備中的低電壓應(yīng)用,確保線上功率損耗維持在低水準(zhǔn),從而延長充電間距。(編輯:FJ)

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