2007年11月27日，QinetiQ向AIXTRON訂購一臺 6x2英寸CCS MOCVD設(shè)備用于開發(fā)高性能應(yīng)用的GaN器件，新MOCVD設(shè)備將安裝于Qineti在英國QMalvern的微納米技術(shù)實驗室中，這一實驗室現(xiàn)有的外延生長設(shè)備中還包括一臺3x2英寸的CCS MOCVD。

　　QinetiQ稱與AIXTRON保持著長期、友好的關(guān)系，新型更大產(chǎn)量的反應(yīng)室是其氮化物器件新開發(fā)計劃的最好工具，使QinetiQ可向國際客戶進(jìn)行外延片樣品的小批供應(yīng)。AIXTRON新反應(yīng)室擁有最小化的停工期，以及良好的批次間(run-to-run)、晶圓間(wafer-to-wafer)再現(xiàn)性和一致性，QinetiQ對AIXTRON的MOCVD設(shè)備有很大的信心。這一反應(yīng)室最初將用于支持由英國商業(yè)、企業(yè)與制度改革部(BERR)資助的一個項目，探索固態(tài)照明用低成本LED的方法。盡管GaN外延材料面向的市場是LED、激光二極管等光電子器件，其在微波電子器件市場擁有巨大的潛力。正有越來越多的研究院所和公司在研究如何將基于氮化物的功率器件商業(yè)化。

　　注： QinetiQ 在大范圍光學(xué)及電子技術(shù)領(lǐng)域(包括化合物半導(dǎo)體器件)方面擁有先進(jìn)的專業(yè)知識。 QinetiQ在使用制備復(fù)合薄膜上擁有不易攻破的記錄，并在三五族材料生長和器件處理上擁有專業(yè)經(jīng)驗。（編輯：PCL）