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高功率LED封裝之金屬封裝基板

2007-11-12 作者:未知 來源:中國半導體照明網 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 目前高功率LED的應用范圍越來越廣,隨之而來的問題是當LED的輸出功率較小時,可以使用傳統(tǒng)FR4等玻璃環(huán)氧樹脂封裝基板,然而照明用高功率LED的發(fā)光效率只有20%~30%,且芯片面積非常小。

  高功率LED封裝基板是利用環(huán)氧樹脂系接著劑將銅箔黏貼在金屬基材的表面,透過金屬基材與絕緣層材質的組合變化,制成各種用途的LED封裝基板。高散熱性是高功率LED封裝用基板不可或缺的基本特性,因此上述金屬系LED封裝基板使用鋁與銅等材料,絕緣層大多使用高熱傳導性無機填充物(Filler)的環(huán)氧樹脂。鋁質基板是應用鋁的高熱傳導性與輕量化特性制成高密度封裝基板,目前已經應用在空調機的轉換器(Inverter)、通訊設備的電源基板等領域,也同樣適用于高功率LED封裝。

  一般來說,金屬封裝基板的等價熱傳導率標準大約是2W/mK,為滿足客戶4W~6W/mK高功率化的需要,已經推出等價且熱傳導率超過8W/mK的金屬系封裝基板。由于硬質金屬系封裝基板主要目的是支援高功率LED封裝,因此各封裝基板廠商正積極開發(fā)可以提高熱傳導率的技術。硬質金屬系封裝基板的主要特徵是高散熱性。高熱傳導性絕緣層封裝基板,可以大幅降低LED芯片的溫度。此外基板的散熱設計,透過散熱膜片與封裝基板組合,還可以延長LED芯片的使用壽命。

  金屬系封裝基板的缺點是基材的金屬熱膨脹係數(shù)非常大,容易受到熱迴圈沖擊,如果高功率LED封裝使用氮化鋁時,金屬系封裝基板可能會發(fā)生不協(xié)調的問題,因此必須設法吸收LED模組各材料熱膨脹係數(shù)差異造成的熱應力,以此緩和熱應力進而提高封裝基板的可靠性。(編輯:XGY)

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