2007年10月15日，Cree宣布推出零微管(ZMPTM)100mm(4英寸)、n型SiC襯底，憑借這一成果，Cree加強(qiáng)了其在全球SiC基半導(dǎo)體材料市場(chǎng)領(lǐng)先制造商的地位。SiC可用于生產(chǎn)范圍很廣的電力、光及通信元件，其中包括電源切換、LED和無(wú)線(xiàn)通信用RF(射頻)功率晶體管。

　　微管是SiC中的晶體缺陷，目前商業(yè)襯底賣(mài)主供應(yīng)的所有的SiC晶片幾乎都存在這一問(wèn)題。微管不僅會(huì)減少每一晶片可出產(chǎn)的電子器件個(gè)數(shù)，還會(huì)對(duì)每一電子器件的性能造成負(fù)面影響。而Cree通過(guò)之前的研發(fā)(獲得美國(guó)陸軍和國(guó)防先進(jìn)研究計(jì)劃總署的部分支持)，已大大降低了該缺陷密度。

　　Cree稱(chēng)向100mm ZMP襯底技術(shù)的轉(zhuǎn)換是行業(yè)大范圍選擇SiC作為大功率開(kāi)關(guān)元件材料的重要一步，Cree其他產(chǎn)品組與這一技術(shù)的整合預(yù)計(jì)會(huì)加速市場(chǎng)采用SiC作為大批量、生產(chǎn)就緒(production-ready)材料平臺(tái)的速度。(編輯：PCL）