Tokuyama公司啟動AIXTRON MOCVD
摘要： 2007年10月2日，AIXTRON宣布AIX 200/4 RF-S MOCVD在日本的Tokuyama公司成功啟動運(yùn)行，該系統(tǒng)安裝在Tokuyama的研發(fā)中心，用于AlGaN基紫外LED的開發(fā)和制造。
2007年10月2日，AIXTRON宣布AIX 200/4 RF-S MOCVD在日本的Tokuyama公司成功啟動運(yùn)行，該系統(tǒng)安裝在Tokuyama的研發(fā)中心，用于AlGaN基紫外LED的開發(fā)和制造。
Tokuyama公司稱紫外LED具有很大的工藝挑戰(zhàn)性，但憑借著優(yōu)越的工藝穩(wěn)定性和1400°C的高溫承受力，AIX 200/4 RF-S有能力提供最高質(zhì)量的GaN和AlGaN層。在東京工業(yè)大學(xué)(Tokyo Institute of Technology)Aoyagi教授的協(xié)作下，Tokuyama公司對AIXTRON系統(tǒng)在這一應(yīng)用的適用性做了評估和認(rèn)證。另一臺AIXTRON反應(yīng)室的安裝將加速GaN紫外LED材料和器件的開發(fā)進(jìn)程。
注：Tokuyama公司是全球化學(xué)產(chǎn)品領(lǐng)先的開發(fā)制造商，其產(chǎn)品范圍很廣，包括電子行業(yè)使用的超純多晶硅。Tokuyama公司還擁有世界上最大的AlN工廠，擁有高導(dǎo)熱性能的AlN可用于大功率LED、LD等高溫元器件。（編輯:PCL)
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